三星电子计划在越南河内以北约60公里的北宁省科技工业园区建设一座半导体芯片测试工厂，投资额约为390万亿越南盾（约合150亿美元） [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7]。工厂将主要聚焦成熟工艺内存芯片测试，涵盖DRAM和NAND闪存两大类产品，预计年产能分别达到1533亿Gb的DRAM和2556亿Gb的NAND闪存 [2, 3, 4, 5, 6, 7]。
该项目于2026年3月获得越南政府批准，随后于2026年4月启动建设，现场有超过200名三星工程技术人员和工作人员参与施工和准备工作 [2, 3, 4, 5, 6, 7]。工厂计划于2027年11月正式投产 [1, 2, 3, 4, 5, 8, 6, 7]。
三星电子表示，公司是越南最大的外资投资者，累计投资超过230亿美元，新的测试工厂是三星在越南建立的首个芯片测试生产基地 [2]。三星还计划将高达25亿美元的利润再投资，用于可能建设第二家半导体生产工厂 [2, 3, 4, 5, 8, 6, 7]。
三星方面指出，该工厂有助于缓解因人工智能需求激增导致的全球存储芯片短缺问题 [2, 4, 5, 6, 7]。此次投资进一步加固了三星在越南半导体产业链中的布局。
项目建设进展顺利，目前工程人员正加快现场工作，距离投入运营已不足一年。预计该测试厂将成为越南半导体产业的重要组成部分，推动当地产业升级和就业。
