2026年第一季度，全球DRAM市场收入达到约970亿美元，较上一季度增长80%，创历史新高。此轮增长主要由人工智能和大型数据中心强劲需求带动，同时内存价格持续上涨 [1, 2, 3, 4]。

根据Counterpoint研究，2026年第二季度全球DRAM及高带宽存储器（HBM）价格预计将进一步上涨50%，价格上涨趋势显著延续 [1, 2, 3, 4]。

韩国三星电子在2026年第一季度以38%的市场占有率继续领跑全球DRAM市场，领先于SK海力士的29%和美光的22% [1, 2, 3, 4]。中国厂商长鑫存储（CXMT）表现突出，2026年第一季度营收同比暴增700%，市场份额升至8%，成为全球第四大DRAM供应商 [1, 2, 3, 4]。

美光科技CEO Sanjay Mehrotra表示，预计内存芯片的供应短缺将持续到2026年之后。由于投产和设备安装周期长，具备实质产能扩张将在2028年及以后才会显现。他说：“我们预期记忆体短缺将持续到2026年之后。目前美光正积极与客户合作，透过签署长期供应协议，全力确保客户未来的供应可预期性。” [5, 6]

美光正加大对产能的投资，计划在美国弗吉尼亚、爱达荷和纽约州投入超过2000亿美元，新增生产设施将于2027年至2030年陆续投产 [5, 6, 7, 4]。其中，2026年5月22日，美光宣布弗吉尼亚马纳萨斯地区1α工厂正式启动，并计划扩展爱达荷和纽约等地产能 [7]。

HBM内存在AI加速器中的关键性提升，但其大芯片面积和复杂封装导致晶圆产出率降低，供应弹性受限，进一步加剧了供不应求和高价态势 [1, 8, 9]。美光加快先进1γ DRAM和HBM4产品的生产节奏，并计划在2027年推动HBM4E投产，以满足AI加速器的需求 [8, 9]。

当前内存短缺主要源自AI训练、推理和大规模数据中心建设带来的结构性需求增长，这与以往的周期性反弹不同 [1, 2, 3, 4]。市场竞争加剧，三星和美光正迅速扩充产能，并加大对下一代技术的投资，以应对中国新进厂商的冲击 [1, 2, 4]。

不过，也有分析师对AI驱动的超高需求和结构性短缺持怀疑态度，认为如谷歌TurboQuant这类新算法显著降低了AI内存需求，可能高估了未来缺货程度。蓝盒资产管理公司的William de Gale指出，内存产业具有“巨大的起伏”，长期来看行业表现并不稳定 [10]。

预计2026年第二季度DRAM及HBM价格将持续上涨50%。美光预计2027年中首次投产爱达荷工厂，2027年推动HBM4及HBM4E量产，2028年及以后将有更多新产能上线，缓解供应压力 [1, 2, 5, 6, 8, 9, 7, 4]。