英特尔与联电（UMC）正共同开发3纳米半导体芯片，目标是挑战台积电（TSMC）在晶圆代工领域的主导地位。这项合作延续了双方在12纳米FinFET工艺上的合作模式，12纳米工艺验证工作已在英特尔位于美国亚利桑那州的晶圆厂进行，预计2026年发布工艺设计套件（PDK），并计划于2027年初实现芯片设计完成，年底实现量产 [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7].
此次12纳米芯片主要用于物联网、WiFi等特殊应用领域。联电长期专注于成熟制程节点，采取避免与台积电直接竞争的策略。联电高级副总裁林伟智表示，联电早已放弃10纳米以下先进制程投资，因此与英特尔的合作形成盟友关系而非竞争关系 [2, 3, 4, 8, 6, 7].
英特尔为扩大晶圆代工业务，由CEO谭立普带领，并聘请了前SK海力士CEO李锡熙加强先进封装与后段制造能力。双方计划以英特尔提供晶圆厂和设备，联电负责晶圆代工技术与客户资源的方式，复制12纳米合作模式进入3纳米领域，这有助于联电无须巨额资本开支即可涉足先进制造 [3, 4, 8, 5, 9].
3纳米芯片制造将设于英特尔亚利桑那厂，目标性能可比拟台积电3纳米技术。不过，部分业内人士对3纳米合作持谨慎态度，指出3纳米制造技术和资本投入较12纳米具更大挑战，过程和时间安排尚不确定。半导体分析师蒲得宇援引业界高层话称，对合作进程较为保守[m10].
台湾经济研究院分析师刘佩真认为，短期内英特尔与联电的合作难以撼动台积电的领导地位，台积电已在3纳米制程和客户基础成熟扎实。她指出，这次合作帮助英特尔完善其晶圆代工模型，利用联电的纯晶圆代工研发和客户优势，同时活用亚利桑那厂闲置产能。联电则借此避免大规模资本开支，并在地缘政治和供应链持续动荡的背景下获得重要的先进制程能力布局在美国 [9, 8].
联电股价在合作消息公布后上涨约10%，显示市场正积极响应这一合作框架 [8, 6].
目前英特尔与联电计划明年初完成3纳米及12纳米芯片设计，并于2027年年底在亚利桑那厂实现商业量产。这是双方战略布局先进晶圆代工的重要时间节点 [2, 4, 6, 7].
