受AI需求推动，2026年至2027年内存芯片价格大幅上涨，2028年料回落

内存芯片价格因人工智能需求带动，预计2026年第三季度价格将较上一季度上涨40%到50%，第四季度增长30%至40% ^{[1, 2, 3, 4, 5]}。Jefferies报告预测，内存产品平均售价（ASP）将在2027年前以每年40%到45%的速度上涨 ^{[1, 2, 3, 4, 5]}。

分析指出，2026年全球内存供应增长受限，不包括中国厂商，位元产出仅增7%至8%，导致DRAM和NAND共存在每月15万至20万晶圆的供应缺口 ^{[2, 3, 4]}。高带宽内存（HBM）供应依旧紧张，目前月产约33万晶圆，预计2027年增至48万晶圆，但需求预计增长70% ^{[2, 3, 4]}。

中国内存产业主要由长鑫存储推动，产能扩张集中于面向国内市场的DDR5芯片，开始进入全球市场 ^{[1, 5]}。但中国厂商技术水平与西方及韩国制造商存在差距，2026年和2027年内市场影响有限，一直到2028年才可能产生显著影响。一位业内专家称，“中国的记忆体产能在今、明两年对市场冲击有限，直到2028年才可能产生影响，理由在于中国厂在技术方面，与西方及韩厂有所差距” ^[1]。

对于价格峰值时间存在分歧。大部分机构预测价格上涨将持续至2027年，直到2028年供需状况改善后才开始下降 ^{[1, 2, 3, 5]}。不过，投资分析师卡尔·阿克曼认为，DRAM和NAND的平均售价可能在2026年中期达到峰值，并可能于2027年初开始出现连续季度下跌，他表示，“DRAM与NAND的平均售价将在2026年中见顶，且均价最快在明年初就可能出现连续的季度下滑” ^[4]。

内存价格预计在2028年下滑15%至20%，这将受益于产能提升及需求增长放缓 ^{[1, 2, 3, 4, 5]}。高带宽内存的供给紧张态势也有望缓解，产能到2027年将大幅提升。

总体来看，2026至2027年内存价格维持高位增长，市场缺口短期难以弥补，2028年供给扩张将带动价格回落。