前聯電董事長曹興誠近日強烈駁斥前美國總統川普反覆指控台灣偷竊美國半導體技術的說法，稱此指控根本不符事實，並呼籲行政院對外公開澄清。他指出，“川普說台灣偷了美國的半導體技術，絕非事實，行政院應該公開澄清。” [1]
台灣的半導體技術發展始於1976年3月5日，當時工研院與美國RCA公司簽訂了一份為期10年、價值350萬美元的合法技術購買合約，其中250萬美元用於技術轉移，100萬美元為授權費。該技術為7微米CMOS製程，較當時美國的3.5微米NMOS雖不先進，但因價格低廉且適合台灣消費電子產業選擇使用。 [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9]
台灣政府在半導體整合電路項目上共投入約1000萬美元，資金用於興建第一座3吋晶圓原型工廠及派遣20多名工程師赴美接受訓練。1980年，技術成功示範後轉移至新成立的聯電以進行商業化4吋晶圓廠生產，聯電以提供經濟部15%技術股作為回報。 [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9]
1983年，政府進一步投入約1億美元資助工研院建設6吋晶圓示範工廠，開發3微米技術，培育約400名工程師。1987年這批工程師轉至剛成立的台積電，並以每年200萬美元低租金承租工研院工廠，再加上行政院提供700萬美元的研發補助，實現三年半的免費使用，助台積電快速成長。 [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9]
曹興誠並質疑台積電創辦人張忠謀同時任台積電及工研院董事長，導致“化公為私”的爭議，並表示自己在當時曾要求公平競爭工廠承租權，然而被聯電董事會壓制且險被解職。“台積電以這樣的方式取得了3微米技術和工廠，而當時張忠謀先生同時兼任工研院和台積電的董事長，當然有‘化公為私’的爭議。” [3]
曹興誠批評台灣政府及台積電至今未公開回應川普指控，稱其做法“相當草率且不負責任”，並強調“川普一再指責台灣偷竊美國半導體技術，後果相當嚴重……台灣不宜再悶著頭挨罵，不敢辯駁。” [1]
台灣總統府秘書長潘孟安及行政院發言人李慧芝回應表示，川普指控“當然不是事實”，台灣半導體來自三十年技術淬煉與供應鏈提升。“對於相關的誤解，我們會持續溝通，也會持續對外說明。” [10, 11]
美國風投人查馬斯（Chamath Palihapitiya）近期表示，美國半導體技術僅落後台灣1至2奈米，顯示台灣技術領先持續存在。 [1, 11]
川普曾聲稱要在2029年前將台灣40%到50%的半導體產能遷移至美國，但此說法被台灣部分專家視為政治宣傳而非切實可行的計畫。 [1, 2, 3, 4, 5, 6]
曹興誠呼籲行政院、工研院與台積電召開國際記者會，澄清台灣半導體科技的合法來源及多年代工業投資努力，以正視聽。 [1, 11]
