韩国半导体巨头SK海力士计划于2026年7月10日在美国纳斯达克交易所上市美国存托凭证（ADR），通过发行1779万股新股募集约45.45兆韩元（约290亿美元）资金 [1, 2, 3, 4, 5, 6]。公司公开表示，募集资金将主要用于韩国龙仁晶圆厂、清州先进封装厂的建设，以及购置芯片制造设备，包括先进的极紫外光（EUV）曝光机 [2, 3, 4, 7, 8, 6]。

早在今年3月，SK海力士已向美国证券管理委员会（SEC）提交上市申请，正式启动赴美ADR上市程序 [2, 3, 4, 5, 6]。截至2026年6月，SK海力士股价在首尔市场今年累计上涨超过300%，5月市值首次突破1万亿美元，甚至一度超过三星电子，成为韩国市值最高的上市公司 [2, 3, 4, 5, 8, 6]。据公司公告，ADR将按1:10比例转换为普通股 [8]。

报道引述彭博社指出，SK海力士此次发行规模接近甚至有望超过历来最大ADR发行纪录，超过2019年沙特阿美创下的294亿美元纪录，有望成为历史最大规模的ADR发行案 [1, 9, 8]。业内人士分析，SK海力士此举旨在借助赴美ADR上市接触更多美国投资者，提升国际能见度，缩小与三星电子及美光科技等竞争对手的估值差距 [9, 5]。

韩国金融监管机构预计最早于7月3日完成对SK海力士国内新股发行文件的审核，符合监管要求后，公司才能启动ADR在纳斯达克挂牌交易 [5]。有报道引述韩国金融投资业人士表示，若进展顺利，SK海力士ADR最早可于7月中下旬完成挂牌，比市场先前预计的8月有所提前 [5]。

此外，近期因Nvidia Rubin平台生产预测调低，SK海力士已调整战略，放缓高带宽内存（HBM4）扩产，转向利润更高的标准DRAM市场 [5]。公司此次赴美发行ADR也被视为推动其AI高频宽存储芯片供应商地位的重要战略举措 [9, 5]。

预计7月10日，SK海力士的美国存托凭证将在纳斯达克交易所正式开始公开交易，标志着公司资本运作进入新阶段 [9, 2, 3, 4, 6]。