韩国半导体巨头SK海力士正考虑在忠清北道清州扩建新的NAND闪存晶圆厂，以扩大生产能力[S1,S2,S3]。该计划预计将于2026年6月29日在韩国总统府举行的会议上正式宣布[S1,S2]。
这一扩建举措是SK海力士2018年在清州建成M15晶圆厂后的延续，反映出公司加强现有布局的决心[S2]。SK集团会长崔泰源表示：“为满足AI带动的记忆体需求暴增，SK海力士计划在2034年前，将旗下晶圆产能扩增至目前的三倍规模。” [1]
与此同时，三星电子也在忠清地区的天安和温阳两地建设封装厂，专注于高带宽记忆体（HBM）等先进芯片的生产[S2]。不过，SK海力士近期对第六代高带宽记忆体（HBM4）的扩产速度有所放缓，重点转向标准型DRAM市场[S3]。
此番放缓部分源自Nvidia Rubin平台生产预测的下修，导致半导体股大跌。2026年6月23日，南韩股市大幅回落，SK海力士与三星电子股价均重挫逾7% [2]。
SK海力士的产能扩增计划显示了其对未来记忆体市场的长期看好，下一步将于29日在总统府会议上对该投资方案作出详细说明 [3, 1]。
