三星电子、SK海力士和美光于2026年6月25日在美国加利福尼亚州联邦法院被提起集体诉讼，指控三家公司合谋操纵动态随机存取存储器（DRAM）价格并限制供应，案件编号为3:26-cv-06345，是一起反垄断集体诉讼 [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9]。

诉讼称，三星、SK海力士和美光利用其控制全球90%以上DRAM市场的垄断地位，协同将产能从传统DRAM转向高带宽内存（HBM），人为减少DDR3和DDR4产量，导致近四年内DRAM价格上涨约700%，加剧了全球内存短缺危机 [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9]。原告包括14名消费者和3家小型企业，指控还引用苹果公司因存储芯片涨价而调高部分产品售价作为影响证据 [1, 2, 4, 5, 6, 7, 8, 9]。原告约翰·特里诺称：“三星、SK海力士和美光利用全球DRAM市场的主导地位，以向HBM转型为借口，协同削减DDR3和DDR4产量，人为制造供应短缺” [3]。

三星和SK海力士曾在2000年代因价格操纵向美国司法部认罪，合计被罚款约7.31亿美元，期间多名高管判刑。诉状援引这段历史支持控诉 [1, 3, 5, 6, 8, 9]。

韩国政府于6月29日宣布启动超过5700亿美元的产业投资计划，支持半导体和人工智能产业发展，包括三星和SK海力士将在韩国西南地区扩建芯片制造基地，计划未来五年内将DRAM产能翻倍。韩国总统李在明表示，三家公司将与供应商共同投资800万亿韩元（约5178.7亿美元） [2, 8]。

美光公司否认操纵价格指控，指出其致力于合法公平竞争，并积极扩产满足市场需求。美光商业长萨达纳说，“人工智慧热潮助记忆体厂商扬眉吐气，过去因客户趁低价压价导致难以投资扩产，如今合约多采取刚性架构，提升中长期获利能见度” [10, 11, 6]。

在长期采购合约方面，SK海力士取消了价格上限，允许合约价随市场现货价上涨调整，而美光则保留价格上下限，并要求客户做出采购量承诺。关于这一差异，有观点认为SK海力士放缓HBM4扩产是为资本效率和控制供给，而非彻底撤退 [12, 11]。

AI需求爆发推动HBM内存需求激增，导致传统DDR供给受限，被部分市场分析认为是造成市场供需失衡的重要原因 [2, 3, 11, 6, 9]。投资机构Jefferies预测2026年至2027年DRAM价格将持续上涨，预计2027年涨幅达40%-45%，2028年价格才可能趋于稳定 [5, 6, 7]。