全球NAND闪存市场在2026年面临约4%-6%的供应短缺，原因是人工智能驱动的服务器需求激增与产能扩张受限所致 [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7]。服务器端的NAND需求占总需求超过40%，成为供需失衡的主要推动力 [2, 3, 4, 5, 6, 7]。

与此形成对比的是，智能手机和笔记本电脑等消费电子产品需求疲软，2026年全球智能手机产量预计下降15%至20%，笔记本电脑出货量则减少约10% [2, 3, 4, 5, 6]。NAND闪存供应商更倾向优先扩展DRAM产能，限制了NAND的产能增长，主要通过工艺升级和有限的厂房扩展缓解压力 [2, 4, 5, 6]。

预计2027年下半年，NAND闪存供需状况将实现平衡，供应短缺将得到缓解 [1, 2, 3, 4, 5, 6, 7]。中国NAND闪存厂商在此期间将大幅增加产能，使其全球出货份额提升至近19% [2, 3, 4, 5, 6]。

服务器CPU供应瓶颈也预计2027年显著改善，促使服务器出货量增长，有助缓解NAND供应紧张 [2, 3, 4, 5, 6]。2026年下半年，英特尔和AMD的新一代服务器平台开始加速出货，推动服务器出货量全年增长约17% [2, 3, 4, 5, 6]。

虽然NAND库存整体维持较低水平，但模块制造商库存因消费需求疲软出现增加 [2, 3, 4, 5, 6]。与NAND闪存预期2027年下半年缓解不同，DRAM供应将在更长时间内保持紧张，预计到2027年底仅能满足全球60%的需求 [7]。ADATA董事长指出，“DRAM短缺可能持续长达十年，主要受人工智能基础设施需求推动，且无放缓迹象” [7]。SK海力士董事长也警告“记忆体危机可能延长到2030年” [7]。Phison执行长称，数据中心正将更多预算投入对NAND需求大的推论工作负载，进一步加剧供需失衡 [7]。

总体来看，NAND市场供需紧张预计将在2027年下半年得到缓解，中国厂商产能扩张是主要驱动力。DRAM供应挑战仍将持续，成为未来记忆体市场需重点关注的问题。