铠侠（Kioxia）于2026年7月3日宣布，已开始交付其第十代BiCS FLASH 3D NAND内存芯片样品，旨在满足AI数据中心的高性能需求 [1, 2, 3]。
新一代芯片采用332层3D NAND堆叠架构，显著提升存储密度、数据传输速度和能效。公司表示，“这款新品是332层3D BiCS快闪记忆体，主打更高储存密度、更快资料传输速度与更佳能源效率，特别对AI资料中心的高负载需求更有吸引力” [2]。
第十代BiCS FLASH芯片还结合了CMOS直连键合阵列架构（CBA）和On-Pitch选择门极排水器（OPS）设计，使得NAND接口速度提升至4.8 Gb/s，比上一代快约33% [3]。
此外，芯片的比特密度增加约59%，读取和写入功耗分别下降约18%和30%，显著降低运营能耗，有利于大规模数据中心的可持续发展 [3]。
这批芯片主要应用于企业级数据中心固态硬盘，针对高性能计算和AI工作负载优化设计 [3]。
铠侠第十代BiCS芯片的生产在日本岩手县北上市的Fab 2工厂同步展开。公司目前正加大第九代和第十代芯片的产能，迎合日益增长的AI数据存储市场需求 [4, 3]。
在竞争激烈的NAND闪存市场，铠侠面临三星电子、SK海力士和美光科技等强劲对手，同时其市场估值一度超过丰田和软银，但产能扩张也引发未来价格持续性的关注 [2]。
铠侠计划在未来持续提升产能以应对市场需求，相关生产和交付进展值得持续关注。
