德国光学公司蔡司是荷兰半导体设备制造商ASML的重要供应商，其半导体部门负责人弗兰克·罗洪德公开表示，中国可能需要约15年才能开发出成熟的极紫外光（EUV）光刻机。罗洪德指出，由于技术进展难以量化，15年是一个合理预估。除此之外，他还警告称，若进一步扩大针对旧款深紫外（DUV）光刻机的出口限制，反而可能促使中国加快创新步伐，效果可能适得其反 [1, 2, 3, 4, 5, 6]。
瑞士银行（UBS）分析师团队于2026年9月2日发布报告认为，中国当前的EUV技术水平大致相当于ASML在2004年的发展阶段。当年ASML距离商业化生产EUV光刻机仍有大约15年的时间，这表明中国要赶上先进EUV机仍需约10年甚至更长时间。该团队负责人弗朗索瓦-泽维尔·布维涅斯谈及中国进展时表示，目前的技术水平尚处于较早研发阶段 [7, 8, 9, 10, 11, 12]。
相比之下，中国在沉浸式DUV光刻机研发上取得了显著进展。据2026年7月The Information报道，一家位于上海的中国公司已开始生产集成了多家半导体初创团队技术的沉浸式DUV光刻设备。分析人士预计中国将在未来2至5年内具备这类设备的大规模生产能力 [1, 7, 8, 9, 10, 12]。
ASML目前是全球唯一能大规模商业生产先进EUV光刻机的企业，这类设备是制造最先进AI芯片（如NVIDIA加速器）的关键。由于美国主导的出口管制，ASML被禁止向中国出售最先进的EUV机器，同时也限制了部分先进DUV设备的出口 [1, 7, 2, 4, 5]。
据悉，ASML的先进EUV光刻机售价超过2亿美元，沉浸式DUV光刻机售价约9000万美元。中国尽管在光刻技术研发上已投入多年，但外界仍需观察其设备性能及量产可靠性能否达标 [7, 8, 11, 6]。
近期发展显示，中国沉浸式DUV光刻机的量产正在加速，而极紫外光刻机仍需较长时间才能实现国产化和成熟。各方预计未来10至15年是中国实现先进EUV设备自主研发的关键窗口期 [1, 7, 2].
